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GB/T 17170-2015《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》

GB/T 17170-2015更新时间: 2025-03-09
标准详情

GB/T 17170-2015《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》基本信息

标准号:GB/T 17170-2015

中文名称:《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》

发布日期:2015-12-10    

实施日期:2016-07-01

发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局  中国国家标准化管理委员会    

提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)    

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)    

起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会

起草人:何秀坤、李静、张雪囡    

中国标准分类号:H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号:77.040金属材料试验

GB/T 17170-2015《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》介绍

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局和中国国家标准化管理委员会联合发布了GB/T 17170-2015《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》标准。GB/T 17170-2015标准于2015年12月10日发布,并于2016年7月1日正式实施。

一、标准概述

该标准规定了半绝缘砷化镓单晶中深施主杂质EL2浓度的红外吸收测试方法,包括样品的制备、测量条件、数据处理等方面的要求。

二、样品制备

在进行红外吸收测试之前,需要对半绝缘砷化镓单晶样品进行适当的制备。标准规定了样品的尺寸、形状和表面处理等方面的要求。样品应具有规则的几何形状,表面应平整、无损伤,以保证测试结果的准确性。样品的厚度和直径也应满足一定的要求,以便于测量和数据处理。

三、测量条件

GB/T 17170-2015标准对红外吸收测试的测量条件进行了详细规定。测试应在一定的温度范围内进行,以保证样品的稳定性和测试结果的可靠性。测试所用的光源应具有稳定的输出和适当的波长范围,以便于对EL2杂质的红外吸收特性进行准确测量。标准还对测量过程中的背景噪声、仪器精度等进行了规定,以确保测试结果的准确性和可重复性。

四、数据处理

在完成红外吸收测试后,需要对所获得的数据进行处理,以计算出半绝缘砷化镓单晶中深施主EL2的浓度。标准规定了数据处理的方法和步骤,包括光谱的校正、吸收系数的计算、EL2浓度的确定等。数据处理过程中应注意消除测量误差和系统误差的影响,以提高结果的准确性和可靠性。

五、测试结果的评价

GB/T 17170-2015标准对测试结果的评价提出了具体要求。测试结果应以一定的形式报告,包括EL2浓度的数值、测量条件、数据处理方法等。同时,标准还对测试结果的误差范围和可重复性进行了规定,以保证测试结果的科学性和可靠性。

GB/T 17170-2015《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》标准的发布和实施,为半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测试提供了统一的标准和方法,有助于提高测试的准确性和一致性,促进了半导体材料的发展和应用。各相关企业和研究机构应严格按照标准要求进行测试,以确保测试结果的科学性和可靠性。

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