GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》

GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》基本信息

标准号：GB/T 14847-2010

中文名称：《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》

发布日期：2011-01-10    

实施日期：2011-10-01

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

起草单位：宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

起草人：李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤    

中国标准分类号：H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号：29.045半导体材料

GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》介绍

GB/T 14847-2010是由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局和中国国家标准化管理委员会联合发布的一项国家标准。标准的发布日期为2011年1月10日，并自2011年10月1日起正式实施。

一、适用范围

本标准适用于使用红外反射技术测量重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层的厚度。这种测量方法对于半导体制造过程中的质量控制、器件设计和性能评估等方面具有重要意义。通过精确测量外延层厚度，可以确保器件的一致性和可靠性，从而提高产品的总体性能。

二、主要内容

1、术语和定义

标准首先定义了相关的术语和概念，如重掺杂、轻掺杂、外延层等，以确保在执行测量过程中，所有参与者对这些术语有统一的理解。

2、测量原理

标准详细描述了红外反射测量的物理原理，包括光在不同介质界面的反射和透射特性，以及如何利用这些特性来测量硅外延层的厚度。

3、测量装置

标准规定了进行红外反射测量所需的设备和仪器，包括红外光源、探测器、光谱仪等，并对其性能和精度提出了具体要求。

4、测量程序

标准详细阐述了测量过程的步骤，包括样品的准备、测量条件的设定、数据的采集和处理等。还提供了数据处理和分析的方法，以确保测量结果的准确性和可靠性。

5、质量控制

为了确保测量结果的准确性，标准还提出了质量控制的要求，包括对测量设备的定期校准、对操作人员的培训和考核等。

GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》为半导体材料和器件制造领域提供了一种标准化的测量方法。通过遵循这一标准，可以确保硅外延层厚度的精确测量，从而提高半导体器件的性能和可靠性