GB/T 26074-2010《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》

GB/T 26074-2010《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》基本信息

标准号：GB/T 26074-2010

中文名称：《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》

发布日期：2011-01-10    

实施日期：2011-10-01

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局  中国国家标准化管理委员会    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

起草单位：南京中锗科技股份有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

起草人：张莉萍、焦欣文、王学武、普世坤    

中国标准分类号：H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号：77.040.99金属材料的其他试验方法

GB/T 26074-2010《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》介绍

《GB/T 26074-2010《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》》标准于2011年1月10日发布，并于2011年10月1日正式实施。

一、测量原理

该标准基于直流四探针法的原理，通过测量锗单晶在直流电流作用下的电压降来确定其电阻率。四探针法是一种非接触式的测量技术，可以减少接触电阻对测量结果的影响，从而获得更准确的电阻率值。

二、测量设备和材料

标准详细描述了测量所需的设备和材料，包括四探针测量装置、标准电阻、测量线和锗单晶样品。四探针装置应具备稳定的直流电源和精确的电压测量功能，以确保测量结果的准确性。

三、测量步骤

1、样品准备：确保锗单晶样品表面清洁、平整，无明显的损伤或污染。

2、设备校准：在测量前对四探针装置进行校准，确保电压和电流测量的准确性。

3、测量过程：将四探针装置放置在锗单晶样品上，施加直流电流，并测量相应的电压降。

4、数据处理：根据测量得到的电压和电流值，结合样品的几何尺寸，计算锗单晶的电阻率。

四、结果分析

标准提供了对测量结果进行分析的方法，包括对测量误差的评估和结果的重复性检验。通过对比不同测量条件下得到的数据，可以评估测量方法的可靠性和准确性。

五、标准的应用

《GB/T 26074-2010》标准的实施，对于提高锗单晶材料的质量控制水平、指导生产实践以及促进科研工作具有重要意义。为锗单晶电阻率的测量提供了统一的技术规范，有助于不同实验室和生产单位之间的数据比较和交流。