GB/T 21039.1-2007《半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》

GB/T 21039.1-2007《半导体器件   分立器件   第4-1部分：微波二极管和晶体管   微波场效应晶体管空白详细规范》基本信息

标准号：GB/T 21039.1-2007

中文名称：《半导体器件   分立器件   第4-1部分：微波二极管和晶体管   微波场效应晶体管空白详细规范》

发布日期：2007-06-29    

实施日期：2007-11-01

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会    

提出单位：信息产业部    

归口单位：全国半导体分立器件标准化分技术委员会    

起草单位：中国电子技术标准化研究所

起草人：罗发明、刘春勋    

中国标准分类号：L41半导体二极管

国际标准分类号：31.080.30三极管

GB/T 21039.1-2007《半导体器件   分立器件   第4-1部分：微波二极管和晶体管   微波场效应晶体管空白详细规范》介绍

《GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》是由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局和中国国家标准化管理委员会联合发布的一项国家标准。该标准自2007年6月29日发布，并于同年11月1日起正式实施。

一、标准的适用范围

GB/T 21039.1-2007标准主要适用于微波场效应晶体管（MFET）的制造、检验和应用。微波场效应晶体管是一种高速、高频的半导体器件，广泛应用于通信、雷达、电子对抗等领域。该标准涵盖了微波场效应晶体管的基本性能参数、测试方法、质量控制等方面的要求，为微波场效应晶体管的生产和应用提供了技术依据。

二、标准的主要内容包括：

1、术语和定义：该标准明确了微波场效应晶体管的相关术语和定义，包括工作频率、最大频率、噪声系数等关键参数。

2、分类和型号：标准对微波场效应晶体管进行了详细的分类和型号规定，以便于生产和应用过程中的识别和区分。

3、质量要求和控制：该标准对微波场效应晶体管的质量要求和控制方法进行了详细规定，包括外观质量、电气性能、可靠性等方面的要求。

4、测试方法：标准详细规定了微波场效应晶体管的测试方法，包括静态参数测试、动态参数测试、噪声测试等，以确保产品的性能和质量。

5、检验规则：该标准对微波场效应晶体管的检验规则进行了规定，包括抽样检验、型式检验、出厂检验等方面的要求。

6、标志、包装、运输和贮存：标准对微波场效应晶体管的标志、包装、运输和贮存方法进行了规定，以确保产品在流通过程中的安全性和完整性。

三、标准的重要意义

GB/T 21039.1-2007标准的发布和实施，为微波场效应晶体管的生产、检验和应用提供了统一的技术要求和标准，有助于提高产品的质量和可靠性，促进半导体器件行业的健康发展。同时，该标准也有助于推动微波场效应晶体管在通信、雷达、电子对抗等领域的应用，提高相关系统的性能和稳定性。