SJ/T 11499-2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》

SJ/T 11499-2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》基本信息

标准号：SJ/T 11499-2015

中文名称：《碳化硅单晶电学性能的测试方法》

发布日期：2015-04-30    

实施日期：2015-10-01

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部    

SJ/T 11499-2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》介绍

中华人民共和国工业和信息化部发布了SJ/T 11499-2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》标准，并于2015年10月1日正式实施。

一、标准适用范围

SJ/T 11499-2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》标准主要适用于碳化硅单晶材料的电学性能测试，包括但不限于电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率等参数的测量。这些参数对于评估碳化硅单晶材料的质量和性能至关重要，因此，该标准的制定和实施对于碳化硅单晶材料的生产和应用具有重要意义。

二、标准主要内容

1、测试原理：标准详细阐述了碳化硅单晶电学性能测试的基本原理，包括电阻率、霍尔系数等参数的测量方法。通过这些原理，可以准确地测量碳化硅单晶材料的电学性能，为后续的应用提供可靠的数据支持。

2、测试设备：标准规定了进行碳化硅单晶电学性能测试所需的设备和仪器，包括四探针测试仪、霍尔效应测试仪等。这些设备的选择和使用对于测试结果的准确性和可靠性至关重要。

3、测试条件：标准对测试环境、样品制备、测试流程等方面提出了具体要求。例如，测试应在无尘、无静电干扰的环境中进行，样品表面应平整、干净，测试过程中要严格控制温度、湿度等条件。

4、数据处理：标准对测试数据的处理方法进行了规定，包括数据采集、计算、误差分析等。这些方法有助于提高测试结果的准确性和可靠性，为碳化硅单晶材料的性能评估提供科学依据。

5、质量控制：标准对测试过程的质量控制提出了要求，包括人员培训、设备校准、测试结果的审核等。这些措施有助于确保测试过程的规范性和测试结果的准确性。

三、标准的意义

SJ/T 11499-2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》标准的制定和实施，对于推动我国碳化硅单晶材料产业的发展具有重要意义。该标准为碳化硅单晶材料的电学性能测试提供了科学、规范的方法，有助于提高测试结果的准确性和可靠性。