SJ/T 2658.8-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度》

SJ/T 2658.8-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度》基本信息

标准号：SJ/T 2658.8-2015

中文名称：《半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度》

发布日期：2015-10-10

实施日期：2016-04-01

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部

SJ/T 2658.8-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度》介绍

SJ/T 2658.8-2015是一项由中国人民共和国工业和信息化部于2015年10月10日发布，并于2016年4月1日实施的国家标准。

一、标准适用范围

SJ/T 2658.8-2015规定了半导体红外发射二极管辐射强度的测量方法，适用于各种类型的半导体红外发射二极管，如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等。

二、标准主要内容

1、术语和定义

本标准明确了辐射强度、辐射通量、辐射效率等关键术语的定义和含义，以便于在实际测量过程中的理解和应用。

2、测量条件

本标准规定了测量辐射强度所需的环境条件，如温度、湿度等，以保证测量结果的准确性和可靠性。

3、测量设备

本标准对测量辐射强度所需的设备进行了规定，包括辐射计、光谱仪等，并对设备的精度和性能提出了具体要求。

4、测量方法

本标准详细描述了测量辐射强度的具体步骤和方法，包括样品的安装、测量点的选择、数据的记录等，以确保测量结果的准确性。

5、数据处理

本标准对测量数据的处理提出了具体要求，包括数据的校正、误差分析等，以提高数据的准确性和可靠性。

三、标准实施意义

1、规范行业测量方法

通过统一的测量标准，可以规范半导体红外发射二极管行业的测量方法，提高测量结果的准确性和可靠性，有利于行业的健康发展。

2、提高产品质量

准确的测量结果可以为产品质量的提高提供有力的数据支持，有利于提高产品的市场竞争力。

3、促进技术创新

标准的实施可以推动企业和科研机构在半导体红外发射二极管领域的技术创新，提高技术水平。