GB/T 8760-2020《砷化镓单晶位错密度的测试方法》

GB/T 8760-2020《砷化镓单晶位错密度的测试方法》基本信息

标准号：GB/T 8760-2020

中文名称：《砷化镓单晶位错密度的测试方法》

发布日期：2020-09-29    

实施日期：2021-08-01

发布部门：国家市场监督管理总局  国家标准化管理委员会    

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

起草单位：有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司

起草人：赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍    

中国标准分类号：H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号：77.040金属材料试验

GB/T 8760-2020《砷化镓单晶位错密度的测试方法》介绍

国家市场监督管理总局联合国家标准化管理委员会发布了GB/T 8760-2020《砷化镓单晶位错密度的测试方法》标准。该标准于2020年9月29日发布，自2021年8月1日起正式实施。

一、标准内容

1、范围

GB/T 8760-2020规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法，适用于各类砷化镓单晶材料的位错密度测试。

2、规范性引用文件

标准中引用了其他相关标准和文件，这些文件为测试方法提供了必要的背景信息和参考依据。

3、术语和定义

标准详细定义了与砷化镓单晶位错密度测试相关的专业术语，确保了术语的准确性和统一性。

4、测试原理

标准阐述了位错密度测试的基本原理，包括位错的概念、形成机制以及如何通过特定的测试方法来测量位错密度。

5、测试仪器和设备

规定了进行砷化镓单晶位错密度测试所需的仪器和设备，包括显微镜、电子束显微镜等，并对设备的精度和性能提出了要求。

6、试样准备

描述了试样的制备过程，包括切割、抛光和清洁等步骤，以确保试样能够满足测试要求。

7、测试步骤

详细列出了位错密度测试的具体步骤，包括样品的装夹、观察、测量和数据处理等。

8、结果计算

提供了位错密度的计算方法，包括如何从测试数据中得出位错密度的数值。

9、测试报告

规定了测试报告的格式和内容，确保测试结果的完整性和可追溯性。

二、标准的意义

GB/T 8760-2020的发布和实施，对于提升砷化镓单晶材料的质量和可靠性具有重要意义。它不仅有助于统一测试方法，提高测试结果的准确性，还能够促进砷化镓单晶材料的生产和应用，推动半导体行业的发展。

三、对行业的影响

随着标准的实施，砷化镓单晶材料的生产和测试将更加规范化，产品质量将得到保障。这也将促进相关企业和研究机构之间的技术交流和合作，推动技术创新和产业升级。