SJ 20011-1992《半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》

SJ 20011-1992《半导体分立器件  ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》基本信息

标准号：SJ 20011-1992

中文名称：《半导体分立器件  ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》

发布日期：1992-02-01    

实施日期：1992-05-01

发布部门：中国电子工业总公司    

提出单位：中国电子工业总公司科技质量局    

归口单位：中国电子技术标准化研究所    

起草单位：中国电子技术标准化研究所

起草人：王长福、吴志龙、张宗国、刘美英    

中国标准分类号：A01技术管理

SJ 20011-1992《半导体分立器件  ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》介绍

SJ 20011-1992《半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》是中国电子工业总公司于1992年2月1日发布的一项国家标准，自1992年5月1日起正式实施。

一、适用范围

SJ 20011-1992标准适用于GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的生产和质量检验。这些晶体管广泛应用于电子设备中，如开关、放大器、稳压器等。

二、术语和定义

标准中对一些专业术语进行了定义和解释，如“耗尽型场效应晶体管”、“硅N沟道”、“GP、GT和GCT级”等。这些术语的定义有助于理解标准的具体内容和要求。

三、要求

SJ 20011-1992标准对GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的生产和质量检验提出了具体要求。这些要求包括：

1、外观要求：晶体管的外观应无明显缺陷，如裂纹、变形等。

2、电性能要求：晶体管的电性能指标应满足标准规定的要求，如阈值电压、跨导、漏电流等。

3、可靠性要求：晶体管应具有良好的可靠性，如耐高温、抗静电等。

4、标记要求：晶体管的型号、规格等信息应清晰、准确地标记在产品上。

四、试验方法

SJ 20011-1992标准规定了GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的试验方法，包括：

1、外观检查：对晶体管的外观进行目视检查，检查是否存在缺陷。

2、电性能测试：对晶体管的电性能指标进行测试，如阈值电压、跨导、漏电流等。

3、可靠性测试：对晶体管进行耐高温、抗静电等可靠性测试。

4、标记检查：对晶体管的型号、规格等信息进行标记检查，确保信息的清晰和准确。

五、检验规则

SJ 20011-1992标准规定了GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的检验规则，包括：

1、出厂检验：生产厂应对每批产品进行出厂检验，确保产品符合标准要求。

2、型式检验：在产品投产前或产品有重大改变时，应进行型式检验，确保产品的性能和质量。

3、抽样检验：对产品进行抽样检验，确保批量产品的质量。

六、标志、包装、运输和贮存

SJ 20011-1992标准对GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的标志、包装、运输和贮存提出了具体要求。这些要求包括：

1、标志：产品应有清晰的型号、规格等信息标志。

2、包装：产品应采用适当的包装方式，确保产品在运输和贮存过程中不受损坏。

3、运输：产品在运输过程中应采取适当的防护措施，避免损坏。

4、贮存：产品应存放在干燥、阴凉、无腐蚀性气体的环境中。

SJ 20011-1992《半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》是一项重要的国家标准，对半导体分立器件的生产和质量控制提出了具体要求。通过实施这一标准，可以提高产品的可靠性和稳定性，满足电子工业的发展需求。