GB 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》

GB 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》基本信息

标准号：GB 11297.7-1989

中文名称：《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》

发布日期：1988-10-09    

实施日期：1990-01-01

发布部门：中华人民共和国机械电子工业部    

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会    

起草单位：航天工业部8358研究所和机械电子工业部第十一研究所

起草人：徐向东、尹洁    

中国标准分类号：L90电子技术专用材料

国际标准分类号：29.040.30

GB 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》介绍

GB 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》是由中华人民共和国机械电子工业部发布的标准，GB 11297.7-1989标准发布于1988年10月9日，并于1990年1月1日正式实施。

一、测试原理

锑化铟单晶的电阻率和霍耳系数是衡量其电学性能的重要参数。电阻率反映了材料的导电能力，而霍耳系数则与材料的载流子浓度和迁移率有关。GB 11297.7-1989标准采用四探针法测量电阻率，通过测量样品在不同电流下的电压，计算得到电阻率值。霍耳系数的测试则利用霍耳效应，测量样品在垂直于电流方向的磁场作用下的电压变化，从而得到霍耳系数。

二、仪器设备

1、四探针测试仪：用于测量样品的电阻率；

2、恒温槽：用于控制测试过程中的温度；

3、磁场发生器：用于产生测试所需的磁场；

4、测量仪器：如数字万用表、示波器等，用于记录测试数据。

三、样品制备

样品的制备对测试结果的准确性至关重要。GB 11297.7-1989标准规定了样品的尺寸、形状、表面处理等方面的要求。样品应为正方形或矩形，尺寸不小于10mm×10mm，厚度不小于0.5mm。样品表面应光洁、无损伤、无污染。

四、测试步骤

1、样品的安装：将样品固定在恒温槽中，确保样品平整、无应力；

2、温度控制：将恒温槽的温度调节至测试所需的温度；

3、四探针测试：按照标准规定的电流和电压范围进行测试，记录数据；

4、霍耳系数测试：在磁场作用下，测量样品的电压变化，记录数据；

5、数据处理：根据测试数据计算得出电阻率和霍耳系数。

GB 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》标准为锑化铟单晶的电学性能测试提供了科学、规范的方法。通过遵循该标准，可以有效评估锑化铟单晶的质量和性能。该标准的实施也促进了半导体行业的技术进步和产品质量的提升。