GB/T 29504-2013《300mm 硅单晶》

GB/T 29504-2013《300mm 硅单晶》基本信息

标准号：GB/T 29504-2013

中文名称：《300mm 硅单晶》

发布日期：2013-05-09    

实施日期：2014-02-01

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局  中国国家标准化管理委员会    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)    

起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。

起草人：闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊    

中国标准分类号：H82元素半导体材料

国际标准分类号：29.045半导体材料

GB/T 29504-2013《300mm 硅单晶》介绍

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局和中国国家标准化管理委员会联合发布了GB/T 29504-2013《300mm 硅单晶》国家标准。该标准自2014年2月1日起正式实施。

一、标准概述

GB/T 29504-2013《300mm 硅单晶》标准主要规定了300mm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的要求。该标准适用于直径为300mm的硅单晶的制造和质量控制。

二、技术要求

1、规格和尺寸

标准规定了300mm硅单晶的直径、长度和边角等尺寸要求，确保硅单晶在生产过程中符合规定的尺寸标准。

2、化学成分

详细列出了硅单晶中允许的杂质元素及其最大含量，如铁、铜、铝、氧等，以保证硅单晶的纯度和电学性能。

3、晶体缺陷

对于晶体缺陷，如位错、晶界、堆垛层错等，标准规定了检测方法和允许的缺陷密度，以确保硅单晶的晶体质量。

4、表面质量

规定了硅单晶表面应无裂纹、凹坑、划痕等缺陷，并对表面粗糙度提出了具体要求。

5、电学性能

包括电阻率、少数载流子寿命等电学参数，这些参数对于硅单晶在半导体器件中的应用至关重要。

三、试验方法

1、化学成分分析

采用光谱分析、质谱分析等方法，对硅单晶中的杂质元素进行定量分析。

2、晶体缺陷检测

使用光学显微镜、电子显微镜等仪器，对硅单晶的晶体缺陷进行观察和计数。

3、表面质量检查

通过目视检查和表面粗糙度仪等设备，评估硅单晶表面的缺陷和粗糙度。

4、电学性能测试

利用电阻率测量仪、少数载流子寿命测试仪等设备，对硅单晶的电学性能进行测试。

四、检验规则

1、出厂检验

硅单晶在出厂前必须经过严格的检验，以确保产品满足标准要求。

2、型式检验

对硅单晶进行周期性的型式检验，以监控产品质量的稳定性。

3、抽样检验

在硅单晶的生产过程中，进行抽样检验，以确保批量生产的硅单晶符合标准。

五、标志、包装、运输和贮存

1、标志

硅单晶应有清晰的标识，包括产品名称、规格、生产日期等信息。

2、包装

规定了硅单晶的包装材料和包装方式，以保护硅单晶在运输和贮存过程中不受损害。

3、运输

对硅单晶的运输条件提出了要求，包括温度、湿度等环境因素。

4、贮存

硅单晶应在干燥、阴凉、无尘的环境中贮存，以保持其品质。

GB/T 29504-2013《300mm 硅单晶》标准的发布和实施，为我国硅单晶产业的健康发展提供了重要的技术支撑。通过统一的技术规范，不仅提升了硅单晶产品的质量和性能，还有助于推动我国半导体材料行业的国际竞争力。