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GB/T 30116-2013《半导体生产设施电磁兼容性要求》

GB/T 30116-2013更新时间: 2025-04-07
标准详情

GB/T 30116-2013《半导体生产设施电磁兼容性要求》基本信息

标准号:GB/T 30116-2013

中文名称:《半导体生产设施电磁兼容性要求》

发布日期:2013-12-17    

实施日期:2014-04-15

发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局  中国国家标准化管理委员会    

提出单位:全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)    

归口单位:全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)    

起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院、安徽鑫阳电子有限公司

起草人:黄英华、谭建国、刘军、周历群、钟华、冯亚彬    

中国标准分类号:L95电子工业生产设备综合

国际标准分类号:31.550

GB/T 30116-2013《半导体生产设施电磁兼容性要求》介绍

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局和中国国家标准化管理委员会联合发布了GB/T 30116-2013《半导体生产设施电磁兼容性要求》标准。该标准于2013年12月17日发布,并于2014年4月15日正式实施。

一、标准概述

GB/T 30116-2013标准旨在为半导体生产设施的电磁兼容性提供一个统一的技术规范,以减少电磁干扰(EMI)对生产过程和产品质量的影响。标准涵盖了半导体生产设施的设计、建造、安装和运行过程中的电磁兼容性要求,确保设施能够在各种电磁环境下稳定运行。

二、标准内容详解

1、范围

标准明确了其适用范围,即所有半导体生产设施,包括但不限于集成电路、分立器件、光电子器件等的生产场所。这为半导体行业的各个领域提供了统一的电磁兼容性指导。

2、术语和定义

标准中详细定义了与电磁兼容性相关的专业术语,如电磁干扰、电磁敏感度、电磁兼容性等,为行业内的沟通和技术交流提供了标准化的语言基础。

3、要求

标准对半导体生产设施的电磁兼容性提出了具体要求,包括但不限于:

设施的设计应考虑电磁干扰的最小化。

必须对设施进行电磁兼容性测试,以确保其符合规定的电磁干扰水平。

设施的运行应遵循电磁兼容性的最佳实践,以减少对外部环境的影响。

4、测试方法

标准提供了一套详细的测试方法,用于评估半导体生产设施的电磁兼容性。这些方法包括电磁干扰的测量、电磁敏感度的测试以及设施的电磁兼容性评估。

5、标签和记录

为了便于监管和追溯,标准要求半导体生产设施在设计和建造过程中,必须有明确的标签和记录系统,以记录电磁兼容性相关的所有信息。

三、实施意义

GB/T 30116-2013标准的实施,对于提升我国半导体产业的整体技术水平和国际竞争力具有重要意义。不仅有助于减少电磁干扰对半导体生产的影响,还有助于提高产品质量和可靠性,保障消费者权益。

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