GB/T 41325-2022《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》

GB/T 41325-2022《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》基本信息

标准号：GB/T 41325-2022

中文名称：《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》

发布日期：2022-03-09    

实施日期：2022-10-01

发布部门：国家市场监督管理总局  国家标准化管理委员会    

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司

起草人：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平    

中国标准分类号：H82元素半导体材料

国际标准分类号：29.045半导体材料

GB/T 41325-2022《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》介绍

GB/T 41325-2022标准是国家推荐性标准，它规定了集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等方面的内容。该标准的发布和实施日期分别为2022年3月9日和2022年10月1日，为硅单晶抛光片的生产和质量控制提供了明确的指导。

一、技术要求

1、尺寸和形状

标准详细规定了硅单晶抛光片的尺寸和形状要求，包括直径、厚度、平面度和翘曲度等。这些参数对于确保硅片在集成电路制造过程中的适用性和可靠性至关重要。

2、表面质量

表面质量是硅单晶抛光片性能的关键因素。标准对表面缺陷、原生凹坑密度、平整度和表面粗糙度等指标进行了规定，以确保硅片具有良好的表面特性。

3、化学成分

硅单晶抛光片的化学成分直接影响其电学性能。标准对杂质元素的含量进行了限制，以保证硅片的纯度和稳定性。

4、晶体缺陷

晶体缺陷会显著影响硅单晶抛光片的电学性能。标准对晶体缺陷的类型和数量进行了规定，以确保硅片的晶体完整性。

二、试验方法

标准规定了一系列试验方法，用于检验硅单晶抛光片是否符合技术要求。这些方法包括尺寸测量、表面质量检测、化学成分分析、晶体缺陷评估等。通过这些试验，可以准确评估硅片的性能和质量。

三、检验规则

为了确保硅单晶抛光片的质量，标准制定了检验规则。这些规则涵盖了抽样、检验项目、检验频次和合格标准等内容。通过严格的检验流程，可以有效地控制产品质量。

四、标志、包装、运输及贮存

1、标志

标准要求硅单晶抛光片应有明显的标志，包括产品名称、规格、生产批号等信息，以便于识别和追溯。

2、包装

包装是保护硅单晶抛光片免受损坏的重要环节。标准规定了包装材料、包装方式和包装要求，以确保硅片在运输和贮存过程中的安全。

3、运输

硅单晶抛光片在运输过程中可能会受到机械冲击或环境因素的影响。标准对运输条件和注意事项进行了规定，以减少运输过程中的风险。

4、贮存

适当的贮存条件对于保持硅单晶抛光片的性能至关重要。标准对贮存环境、贮存期限和贮存要求进行了规定，以确保硅片的长期稳定性。

GB/T 41325-2022《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》标准的发布和实施，为我国集成电路用硅单晶抛光片的生产和质量控制提供了重要的技术支撑。