《硅片参考面结晶学取向X射线测试方法》执行标准号

“硅片参考面结晶学取向X射线测试方法”的标准号是：GB/T 13388-2009

GB/T 13388-2009《硅片参考面结晶学取向X射线测试方法》由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会于2009-10-30发布，并于2010-06-01实施。

该标准的起草单位为有研半导体材料股份有限公司；起草人是孙燕、卢立延、杜娟、翟富义、高玉锈。

“硅片参考面结晶学取向X射线测试方法”介绍

硅片参考面结晶学取向X射线测试方法是一种用于确定硅片晶体结构中参考平面相对于标准结晶方向的取向的技术。这种非破坏性检测技术主要基于X射线衍射原理，利用X射线照射到晶体样品上，测量反射回来的X射线的角度和强度，以此来分析晶体的取向和质量。

在这个过程中，当特定波长的X射线以一定角度射入硅片时，如果满足布喇格定律（Bragg's law），就会发生衍射现象。通过分析衍射峰的位置和强度，可以得知硅片内部的晶格结构以及晶体的取向。这对于半导体制造中确保晶圆的精确切割和后续加工非常重要，因为任何晶体取向的偏差都可能导致电子器件性能的下降。

这种方法还可以用于检测硅片中的缺陷和应力状态，对于提高半导体产品的性能和可靠性至关重要。通过对衍射数据进行细致的分析，可以获得关于晶体内部结构的详细信息，进而指导硅片的进一步加工或改善生长工艺。