SJ/T 10627-1995《通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》

SJ/T 10627-1995《通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》基本信息

标准号：SJ/T 10627-1995

中文名称：《通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》

发布日期：1995-04-22    

实施日期：1995-10-01

发布部门：中华人民共和国电子工业部    

归口单位：电子工业部标准化研究所    

起草单位：电子工业部第46研究所

起草人：何秀坤、汝琼娜、李光平、段曙光    

中国标准分类号：A01技术管理

SJ/T 10627-1995《通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》介绍

SJ/T 10627-1995《通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》是由中华人民共和国电子工业部发布的，该标准自1995年10月1日起正式实施。

一、标准适用范围

SJ/T 10627-1995标准适用于硅片的氧沉淀特性的测量。硅片作为半导体器件的基础材料，在电子工业中具有重要地位。氧沉淀特性是影响硅片性能的关键因素之一。

二、测量原理与方法

1、样品制备：将硅片切割成一定尺寸的样品，并进行适当的表面处理。

2、氧化处理：将样品在一定条件下进行氧化处理，以促进氧沉淀的形成。

3、测量间隙氧含量：使用适当的仪器和方法，测量样品中的间隙氧含量。

4、数据分析：根据测量结果，分析硅片氧沉淀特性，如沉淀的分布、尺寸和浓度等。

三、测量设备与操作要求

1、测量设备：使用高精度的仪器进行间隙氧含量的测量，如二次离子质谱仪（SIMS）等。

2、操作人员：测量人员应具备相关的专业知识和技能，熟悉测量设备的操作和维护。

3、环境条件：测量过程中应控制环境条件，如温度、湿度等，以减少外界因素对测量结果的影响。

四、数据记录与报告

1、样品信息：硅片的尺寸、形状、材料等基本信息。

2、测量条件：氧化处理的参数、测量设备的型号和操作条件等。

3、结果分析：间隙氧含量的测量结果，以及对硅片氧沉淀特性的分析。

4、结论与建议：根据测量结果，提出对硅片质量的评估和改进建议。

五、标准的意义与影响

SJ/T 10627-1995标准对硅片氧沉淀特性的测量提供了统一的方法和要求，有助于提高硅片质量，促进电子工业的发展。该标准还为硅片生产企业、检测机构和科研单位提供了重要的技术参考，对于硅片的技术创新和质量控制具有重要意义。