《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》标准号是多少

“碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法”的标准号是：GB/T 42905-2023

GB/T 42905-2023《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》由国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会于2023-08-06发布，并于2024-03-01实施。

该标准的起草单位为安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司；起草人是钮应喜、刘敏、袁松、赵丽霞、丁雄杰、吴会旺、仇光寅、李素青、李京波、张会娟、赵跃、彭铁坤、雷浩东、闫果果。

“碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法”介绍

碳化硅外延层厚度的测试红外反射法是一种非破坏性检测技术，用于评估碳化硅(SiC)材料上外延层的生长质量。该方法基于光在介质界面上的反射原理来测量外延层的厚度。当红外线照射到碳化硅外延层上时，一部分光会在空气与外延层的交界处发生反射，另一部分则穿透外延层并在其与基底材料的界面上再次反射。这些多次反射的光波会发生干涉现象，通过分析这些反射波的干涉图案，可以精确计算出外延层的实际厚度。

红外反射法的优势在于其非接触性和高灵敏度，它不仅能够在不损伤样品的情况下提供准确的厚度信息，还能够快速完成测量过程。此技术特别适用于半导体行业中对碳化硅外延层质量控制的需求，因为它可以帮助工程师及时发现生产过程中的偏差，并采取相应的调整措施。红外反射法还适用于其他多种材料的薄层厚度检测，是一种多功能且广泛应用的测量工具。