GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》

GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》基本信息

标准号：GB/T 24580-2009

中文名称：《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》

发布日期：2009-10-30    

实施日期：2010-06-01

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局  中国国家标准化管理委员会    

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会    

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人：马农农、何友琴、丁丽    

中国标准分类号：H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号：29.045半导体材料

GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》介绍

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局和中国国家标准化管理委员会联合发布，发布日期为2009年10月30日，并于2010年6月1日起正式实施。

一、标准内容

1、适用范围

本标准适用于重掺n型硅衬底中硼沾污的检测，对于其他类型的硅材料，可以参照本标准进行检测。

2、术语和定义

标准中对重掺n型硅衬底、硼沾污、二次离子质谱等关键术语进行了明确的定义，以确保检测过程中的术语统一和准确。

3、检测原理

二次离子质谱（SIMS）是一种表面分析技术，通过将样品表面原子或分子电离并加速，然后通过质量分析器分离出特定质量的离子，从而实现对样品表面元素的定性和定量分析。本标准详细描述了利用SIMS技术检测重掺n型硅衬底中硼沾污的原理和过程。

4、检测方法

标准规定了样品的制备、仪器的校准、检测条件的设定、数据的采集和处理等详细步骤。这些步骤确保了检测结果的准确性和可重复性。

二、标准的意义

GB/T 24580-2009标准的制定和实施，为重掺n型硅衬底中硼沾污的检测提供了统一的技术规范，有助于提高硅材料的质量控制水平，保障半导体器件的性能和可靠性。同时，该标准的推广应用也有助于提升我国半导体材料检测技术的整体水平，促进半导体产业的健康发展。