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SJ 50033/119-1997《半导体分立器件CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范》

SJ 50033/119-1997更新时间: 2025-05-04
标准详情

SJ 50033/119-1997《半导体分立器件CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范》基本信息

标准号:SJ 50033/119-1997

中文名称:《半导体分立器件CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范》

发布日期:1997-06-17    

实施日期:1997-10-01

发布部门:中华人民共和国电子工业部    

提出单位:中华人民共和国电子工业部    

归口单位:中国电子技术标准化研究所    

起草单位:电子工业部第五十五研究所

中国标准分类号:L5961

SJ 50033/119-1997《半导体分立器件CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范》介绍

《半导体分立器件CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范》(SJ 50033/119-1997)是一项由中华人民共和国电子工业部制定的国家标准,该标准于1997年6月17日正式发布,并于同年10月1日起正式实施。

一、适用范围

本标准适用于CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管的生产和检测。CS204型晶体管是一种高频、高功率的半导体器件,广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。通过本标准的实施,可以确保CS204型晶体管的性能满足相关应用领域的需求。

二、性能参数

1、直流参数:如阈值电压、饱和漏极电流等;

2、交流参数:如增益、输出功率、效率等;

3、频率特性:如工作频率范围、频率稳定性等;

4、可靠性参数:如热阻、寿命等。

三、测试方法

1、直流参数测试:通过测量晶体管的阈值电压、饱和漏极电流等参数,评估其直流性能;

2、交流参数测试:通过测量晶体管的增益、输出功率、效率等参数,评估其交流性能;

3、频率特性测试:通过测量晶体管的工作频率范围、频率稳定性等参数,评估其频率特性;

4、可靠性测试:通过测量晶体管的热阻、寿命等参数,评估其可靠性。

这些测试方法为CS204型晶体管的性能评估提供了科学、准确的手段。

四、质量要求

1、原材料质量控制:要求使用符合标准要求的原材料进行生产;

2、生产工艺控制:要求采用先进的生产工艺,确保晶体管的性能稳定;

3、产品检验:要求对生产出的晶体管进行严格的质量检验,确保其性能符合标准要求;

4、产品标识:要求对产品进行明确的标识,方便用户识别和使用。

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