SJ 20307-1993《半导体分立器件 ＦＨ６４６型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范》

SJ 20307-1993《半导体分立器件  ＦＨ６４６型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范》基本信息

标准号：SJ 20307-1993

中文名称：《半导体分立器件  ＦＨ６４６型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范》

发布日期：1993-05-11    

实施日期：1993-07-01

发布部门：中华人民共和国电子工业部    

归口单位：机械电子工业部    

起草单位：机械电子工业部电子标准化研究所

起草人：蔡仁明、张滨    

中国标准分类号：E01技术管理

SJ 20307-1993《半导体分立器件  ＦＨ６４６型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范》介绍

中华人民共和国电子工业部于1993年5月11日发布了《半导体分立器件 FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范》，并于1993年7月1日正式实施。

一、标准适用范围

本标准适用于FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的生产、检测和使用。这种晶体管具有较高的功率容量和良好的高频特性，适用于各种高功率和高频的电子设备，如开关电源、音频放大器、脉冲电路等。

二、技术要求

本标准对FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的技术要求进行了明确规定，主要包括以下几个方面：

1、外观要求

晶体管的外观应整洁、无裂纹、无损伤。封装应完好，引线应无断裂、无弯曲。

2、电性能参数

本标准对晶体管的电性能参数提出了具体要求，包括集电极-发射极击穿电压（BVCEO）、集电极电流（IC）、集电极-基极击穿电压（BVCBO）、基极电流（IB）、功率耗散（PD）、存储时间（tstg）等。

3、温度特性

晶体管在不同温度下的性能应满足标准规定的要求，包括在-65℃至+150℃范围内的参数变化。

4、可靠性

晶体管应具有良好的可靠性，包括在规定条件下的耐久性和稳定性。

三、测试方法

本标准规定了FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的测试方法，包括外观检查、电性能参数测试、温度特性测试和可靠性测试等。这些测试方法为晶体管的生产和使用提供了科学、准确的评价依据。

1、外观检查

对晶体管的外观进行目视检查，检查其是否有裂纹、损伤、封装缺陷等问题。

2、电性能参数测试

使用专业的测试仪器，对晶体管的各项电性能参数进行测量，确保其满足标准要求。

3、温度特性测试

在不同温度条件下，对晶体管的电性能参数进行测试，评估其温度特性。

4、可靠性测试

通过耐久性和稳定性测试，评估晶体管的可靠性。

四、检验规则

本标准对FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的检验规则进行了规定，包括样本数量、检验项目、合格标准等。这些规则为晶体管的质量控制提供了明确的指导。

五、标志、包装、运输和贮存

本标准对晶体管的标志、包装、运输和贮存也提出了要求。晶体管应有清晰的型号、规格、生产日期等标志；包装应牢固、防潮、防震；运输过程中应避免剧烈振动和碰撞；贮存环境应干燥、通风、防尘。