YS/T 1167-2016《硅单晶腐蚀片》

YS/T 1167-2016《硅单晶腐蚀片》基本信息

标准号：YS/T 1167-2016

中文名称：《硅单晶腐蚀片》

发布日期：2016-07-11    

实施日期：2017-01-01

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部    

提出单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)    

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)    

起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司

起草人：由佰玲、张雪囡、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平    

中国标准分类号：H82元素半导体材料

国际标准分类号：29.045半导体材料

YS/T 1167-2016《硅单晶腐蚀片》介绍

YS/T 1167-2016《硅单晶腐蚀片》是中国工业和信息化部于2016年7月11日发布的一项行业标准，旨在规范硅单晶腐蚀片的生产、检验和包装等环节，确保产品质量和市场竞争力，该标准自2017年1月1日起正式实施。

一、适用范围

本标准适用于硅单晶腐蚀片的生产和质量控制。硅单晶腐蚀片是指经过特定腐蚀工艺处理的硅单晶材料，主要用于半导体器件的制造。通过规定硅单晶腐蚀片的技术要求、检验规则、包装、标志、运输和贮存等，本标准确保了产品的一致性和可靠性。

二、技术要求

1、外观质量

标准规定了硅单晶腐蚀片的外观质量要求，包括表面应无明显的划痕、裂纹、沾污等缺陷。这些要求有助于确保硅单晶腐蚀片在使用过程中的稳定性和可靠性。

2、尺寸和形状

硅单晶腐蚀片的尺寸和形状应符合特定的规格要求，以满足不同应用场景的需求。标准中详细规定了硅单晶腐蚀片的尺寸公差和形状公差，以确保产品的一致性和互换性。

3、化学成分

硅单晶腐蚀片的化学成分是影响其性能的关键因素。标准中规定了硅单晶腐蚀片中主要元素的含量范围，以及杂质元素的最大允许含量，以保证材料的纯度和性能。

4、物理性能

硅单晶腐蚀片的物理性能，如电阻率、载流子浓度等，对半导体器件的性能有着直接影响。标准中对这些物理性能参数提出了具体的要求，以确保硅单晶腐蚀片能够满足不同应用的需求。

三、检验规则

1、检验分类

标准规定了硅单晶腐蚀片的检验分类，包括出厂检验和型式检验。出厂检验主要针对每批产品的外观质量、尺寸和形状等进行检验，而型式检验则涉及到更全面的物理性能和化学成分分析。

2、抽样和判定

对于硅单晶腐蚀片的抽样和判定，标准提供了详细的指导。抽样方法、样本数量以及判定规则都有助于确保检验结果的准确性和公正性。

四、包装、标志、运输和贮存

1、包装

硅单晶腐蚀片的包装应确保产品在运输和贮存过程中不受损坏。标准规定了包装材料的选择、包装方式和包装要求，以保护产品免受物理和化学损伤。

2、标志

产品的标志应清晰、准确，包括产品名称、规格、生产日期等信息，以便于产品的追溯和识别。

3、运输

硅单晶腐蚀片在运输过程中应避免剧烈震动和碰撞，以防止产品损坏。标准提出了运输过程中的注意事项，以确保产品的安全运输。

4、贮存

硅单晶腐蚀片的贮存条件对其性能有重要影响。标准规定了适宜的贮存环境和条件，以保持产品的性能和质量。

YS/T 1167-2016《硅单晶腐蚀片》标准的发布和实施，为硅单晶腐蚀片的生产和应用提供了重要的技术规范和质量保证。