GB 11297.6-1989《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》

GB 11297.6-1989《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》基本信息

标准号：GB 11297.6-1989

中文名称：《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》

发布日期：1988-10-09    

实施日期：1990-01-01

发布部门：中华人民共和国机械电子工业部    

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会    

起草单位：机械电子工业部第十一研究所

起草人：李文华    

中国标准分类号：L90电子技术专用材料

国际标准分类号：29.040.30

GB 11297.6-1989《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》介绍

GB 11297.6-1989《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》是由中华人民共和国机械电子工业部发布的一项国家标准，该标准于1988年10月9日发布，并于1990年1月1日起正式实施。

一、标准适用范围

GB 11297.6-1989标准主要适用于锑化铟单晶材料的位错蚀坑的腐蚀显示和测量。锑化铟是一种半导体材料，具有优异的光电性能和热电性能，在光电探测器、热电制冷器、太阳能电池等领域有着广泛的应用。通过该标准的实施，可以有效地检测和评价锑化铟单晶材料的位错蚀坑，从而提高材料的性能和可靠性。

二、标准主要内容

GB 11297.6-1989标准主要包括以下几个方面的内容：

1、术语和定义

标准对位错蚀坑、腐蚀显示、测量方法等相关术语进行了明确的定义，为后续的技术要求和操作步骤提供了基础。

2、腐蚀显示方法

标准规定了锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示方法，包括化学腐蚀法和电解腐蚀法。化学腐蚀法是通过化学试剂与锑化铟单晶表面发生化学反应，使位错蚀坑显现出来；电解腐蚀法则是通过电解作用，使位错蚀坑在锑化铟单晶表面形成明显的蚀坑。

3、测量方法

标准对位错蚀坑的测量方法进行了详细的规定，包括显微镜观察法、干涉显微镜法和电子显微镜法等。这些方法可以对锑化铟单晶位错蚀坑的数量、大小和分布进行准确的测量和评价。

4、操作步骤

标准对腐蚀显示和测量的具体操作步骤进行了详细的描述，包括样品的准备、腐蚀液的配制、腐蚀时间的控制、显微镜的调节等，以确保操作的准确性和可重复性。

三、标准的意义和影响

GB 11297.6-1989标准的制定和实施，对于锑化铟单晶材料的研究和应用具有重要的意义和影响：

1、提高材料质量

通过规范位错蚀坑的腐蚀显示和测量方法，可以有效地检测和评价锑化铟单晶材料的质量，从而提高材料的性能和可靠性。

2、促进技术进步

标准的实施可以推动锑化铟单晶材料检测技术的创新和发展，为锑化铟单晶的研究和应用提供更多的技术支持。

3、规范行业发展

标准的制定和实施，可以规范锑化铟单晶材料的生产和应用，促进行业的健康发展。

GB 11297.6-1989《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》是一项重要的国家标准，对于锑化铟单晶材料的研究和应用具有重要的指导意义。